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一、參考書目：

西安交大劉恩科主編.《半導體物理學》(第七版).北京：電子工業(yè)出版社，2011

二、復習的總體要求

考生應掌握半導體物理學的基本理論和基本概念，掌握半導體中的電子狀態(tài)、雜質和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布及運動規(guī)律;掌握PN結基本理論;了解半導體表面及半導體的光、熱、磁、壓阻等各種物理現(xiàn)象。

三、主要復習內容

①半導體中的電子狀態(tài)

熟練掌握半導體中的電子運動、有效質量、本征半導體的導電機構;掌握鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。

②半導體中的雜質和缺陷能級

熟練掌握鍺、硅晶體中的雜質能級;理解應用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的雜質能級;理解缺陷能級，位錯能級。

③熱平衡時半導體中載流子的統(tǒng)計分布

掌握狀態(tài)密度、費米能級載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體的載流子濃度雜質半導體的載流子濃度

④半導體的導電性

熟練掌握載流子的漂移運動、載流子的散射、遷移率與雜質濃度和溫度的關系;了解熱載流子。

⑤非平衡載流子

掌握非平衡載流子的注入與復合、非平衡載流子的壽命、準費米能級、復合理論、陷阱效應、載流子的擴散運動、愛因斯坦關系。

⑥ p-n結

理解p-n結及能帶圖、p-n結的電流電壓特性、p-n結電容、p-n結擊穿、p-n結隧道效應。

⑦ 金屬和半導體的接觸

熟練掌握屬和半導體接觸的整流理論，理解少數載流子的注入、歐姆接觸。