• 2025考研復(fù)試伴學(xué)班
• 2025考研復(fù)試標(biāo)準(zhǔn)班
• 2026考研英語(yǔ)全程班
• 26考研全科上岸規(guī)劃營(yíng)「擇校▪規(guī)劃▪備考」
• 南京郵電大學(xué)2025考研專業(yè)課復(fù)習(xí)資料「真題▪筆記▪講義▪題庫(kù)」

003集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)

南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)聚焦通信集成電路與先進(jìn)封測(cè)、寬禁帶半導(dǎo)體與功率集成、微納電子器件與微納系統(tǒng)三個(gè)重點(diǎn)方向，加強(qiáng)多學(xué)科交叉融合，突破核心關(guān)鍵技術(shù)，探索集成電路創(chuàng)新人才培養(yǎng)新路徑，持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作，勇?lián)�服�?wù)國(guó)家集成電路創(chuàng)新發(fā)展之責(zé)任。聚焦后摩爾時(shí)代信息電子技術(shù)發(fā)展，瞄準(zhǔn)國(guó)家戰(zhàn)略、行業(yè)發(fā)展和地方經(jīng)濟(jì)建設(shè)，在集成電路新興交叉前沿領(lǐng)域開(kāi)展科學(xué)研究、社會(huì)服務(wù)和人才培養(yǎng)，形成鮮明的特色。2021年我校集成電路科學(xué)與工程是18個(gè)全國(guó)首批集成電路科學(xué)與工程一級(jí)學(xué)科博士學(xué)位授權(quán)點(diǎn)之一，并且是僅有的兩所省屬高校之一。

師資隊(duì)伍建設(shè)方面，學(xué)院擁有科技部創(chuàng)新人才培養(yǎng)示范基地和科技領(lǐng)軍人才創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)中心等國(guó)家級(jí)師資培育平臺(tái)，在集成電路相關(guān)的材料、器件、電路和系統(tǒng)方面形成人才聚集優(yōu)勢(shì)，擁有中科院院士(雙聘)1人、國(guó)家級(jí)特聘專家2人、入選國(guó)家百千萬(wàn)人才工程1人、享受?chē)?guó)務(wù)院政府特殊津貼專家1人、中國(guó)科學(xué)院百人計(jì)劃1人、海外優(yōu)青1人、江蘇省特聘教授3人、江蘇省雙創(chuàng)人才2人、江蘇省“333工程”培養(yǎng)對(duì)象3人、江蘇省“六大人才高峰”培養(yǎng)對(duì)象4人、江蘇高校“青藍(lán)工程”優(yōu)秀教學(xué)團(tuán)隊(duì)1個(gè)、江蘇省“青藍(lán)工程”學(xué)術(shù)帶頭人2人、江蘇省“青藍(lán)工程”優(yōu)秀青年骨干教師2人和江蘇省科協(xié)托舉人才3人。

學(xué)院擁有電子科學(xué)與技術(shù)國(guó)家級(jí)實(shí)驗(yàn)教學(xué)示范中心、信息電子技術(shù)國(guó)家級(jí)虛擬仿真實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心。微電子科學(xué)與工程專業(yè)入選首批國(guó)家一流本科專業(yè)建設(shè)點(diǎn)，并在國(guó)內(nèi)率先通過(guò)教育部工程教育專業(yè)認(rèn)證。培養(yǎng)的學(xué)生創(chuàng)新能力突出。近五年來(lái)，學(xué)生獲互聯(lián)網(wǎng)+金獎(jiǎng)，全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽最高獎(jiǎng)瑞薩杯，中國(guó)研究生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽“研電之星”第一名、挑戰(zhàn)杯一等獎(jiǎng)等國(guó)家級(jí)獎(jiǎng)項(xiàng)百余項(xiàng)。

學(xué)院擁有射頻集成與微組裝國(guó)家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室、創(chuàng)芯SPACE國(guó)家眾創(chuàng)空間等國(guó)家級(jí)科研創(chuàng)新平臺(tái)和成果轉(zhuǎn)化平臺(tái)，建設(shè)了南京郵電大學(xué)南通研究院和南京郵電大學(xué)鎮(zhèn)江研究院等產(chǎn)學(xué)研合作機(jī)構(gòu);與通富微電合作建成一站式集成電路封測(cè)公共服務(wù)平臺(tái)，已經(jīng)服務(wù)全國(guó)200多家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。

(一)080903微電子學(xué)與固體電子學(xué)

1、微納電子器件及材料。本方向主要研究各類半導(dǎo)體電子材料的制備及其電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)特性，主要包括各類低維納米材料、碳材料、鐵電材料、有機(jī)材料等。在此基礎(chǔ)上，研究各類新型的硅基和化合物功率器件、納米電子器件、傳感器、能源存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)化器件、存儲(chǔ)器以及光電器件等;研究有機(jī)、氧化物、二維半導(dǎo)體晶體管及相關(guān)的存儲(chǔ)器與光電探測(cè)器;超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵晶體和薄膜外延生長(zhǎng)、物性研究及在深紫外傳感器件、功率器件、陣列成像器件等方面的應(yīng)用研究。

2、微納機(jī)電系統(tǒng)。本方向研究融合了微電子、材料學(xué)、力學(xué)等多門(mén)學(xué)科，在人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代有著廣闊的應(yīng)用前景。主要開(kāi)展新型微納機(jī)電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)模型、設(shè)計(jì)、機(jī)理、工藝、檢測(cè)、可靠性及應(yīng)用;MEMS/NEMS傳感器、功率MEMS、能量收集器等設(shè)計(jì)、仿真與實(shí)現(xiàn);射頻MEMS開(kāi)關(guān)及其陣列、匹配網(wǎng)絡(luò)和功能電路的設(shè)計(jì)、制作和封裝。

3、集成電路與EDA。本方向主要基于集成電路的設(shè)計(jì)、模擬和建模等技術(shù)，研究器件與工藝、電路和系統(tǒng)的設(shè)計(jì)優(yōu)化與設(shè)計(jì)自動(dòng)化。包括新型集成功率器件與射頻器件、功率驅(qū)動(dòng)和電源管理集成電路、集成電路輔助設(shè)計(jì)技術(shù)、設(shè)計(jì)自動(dòng)化數(shù)學(xué)模型、算法和工具技術(shù)等。

(二)140100集成電路科學(xué)與工程

1、通信集成電路與先進(jìn)封測(cè)。本方向主要研究：(1)集成電路設(shè)計(jì)。包括集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)理論和方法，模擬/數(shù)字/數(shù)�；旌霞�成電路設(shè)計(jì)技術(shù)，射頻與毫米波通信集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)，新型智能芯片設(shè)計(jì)等。(2)集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化。包括集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)，集成電路輔助設(shè)計(jì)技術(shù)，時(shí)序分析技術(shù)，設(shè)計(jì)驗(yàn)證技術(shù)，敏捷設(shè)計(jì)技術(shù)，設(shè)計(jì)自動(dòng)化數(shù)學(xué)模型、算法和工具技術(shù);(3)集成電路先進(jìn)封測(cè)技術(shù)。包括集成電路封裝可靠性模型和測(cè)試方法，芯片封裝系統(tǒng)的協(xié)同設(shè)計(jì)和仿真技術(shù)，智能化DFT，存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)，模擬與射頻集成電路測(cè)試技術(shù)，Chiplet測(cè)試技術(shù)。

2、寬禁帶半導(dǎo)體與功率集成。本方向主要研究：(1)超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵薄膜的生長(zhǎng)、物性及器件應(yīng)用;(2)大尺寸氧化鎵單晶襯底的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用;(3)寬禁帶半導(dǎo)體器件和集成技術(shù)，包括III-V族、II-VI族化合物基新型功率器件、射頻器件、傳感器件、光電器件及和納米器件的設(shè)計(jì)優(yōu)化、理論建模、表征測(cè)試和系統(tǒng)集成技術(shù)。

3、微納電子器件與微納系統(tǒng)。本方向主要研究：(1)面向下一代集成電路的新型半導(dǎo)體材料、低維納米材料與器件技術(shù)。包括器件表征、建模和模擬技術(shù)，以及在MEMS/NEMS傳感器、能源存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)化器件、存儲(chǔ)器、光電器件上以及邏輯器件上的應(yīng)用;(2)新一代智能器件的材料體系。包括材料制備工藝、物理機(jī)制、器件表征/建模/仿真技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)等;(3)器件與工藝/電路/系統(tǒng)的協(xié)同設(shè)計(jì)優(yōu)化。包括基于集成系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、模擬、建模和測(cè)試技術(shù)，研究器件與工藝、電路和系統(tǒng)的協(xié)同設(shè)計(jì)優(yōu)化。研究范圍涉及新型集成功率器件與射頻器件、功率驅(qū)動(dòng)和電源管理集成電路、光電探測(cè)集成電路、微傳感器集成電路、光纖通信和微波集成電路等。

(三)085403集成電路工程(全日制、非全日制)、(“浦芯精英”專項(xiàng)計(jì)劃)(非全日制)

1、集成電路設(shè)計(jì)與封測(cè)。本方向主要研究包括集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)理論和方法，射頻與毫米波通信集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)，數(shù)字/模擬/數(shù)�；旌霞�成電路設(shè)計(jì)技術(shù)，新型智能芯片及系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù);集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)，集成電路EDA技術(shù)，時(shí)序分析技術(shù)\敏捷設(shè)計(jì)技術(shù)，設(shè)計(jì)自動(dòng)化數(shù)學(xué)模型、算法和工具技術(shù);封裝可靠性模型和測(cè)試方法、芯片封裝設(shè)計(jì)和仿真技術(shù)、集成電路與系統(tǒng)芯片測(cè)試技術(shù)等。

2、半導(dǎo)體材料與微納器件技術(shù)。本方向主要研究寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)、物性、大尺寸單晶襯底的開(kāi)發(fā);III-V族、II-VI族化合物基新型功率器件、射頻器件、傳感器件、光電器件及和納米器件的設(shè)計(jì)優(yōu)化、理論建模、表征測(cè)試和系統(tǒng)集成技術(shù);低維納米材料與器件、新型MEMS/NEMS傳感器、能源存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)化器件、存儲(chǔ)器、功率MEMS、射頻MEMS以及邏輯器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研發(fā)等。

3、智能硬件與智能系統(tǒng)。本方向主要研究嵌入式智能運(yùn)算技術(shù)。包括嵌入式主流芯片架構(gòu)、指令集;基于RISC-V開(kāi)源架構(gòu)處理器設(shè)計(jì)方法;主流嵌入式操作系統(tǒng)移植與應(yīng)用程序開(kāi)發(fā);基于FPGA、嵌入式CPU、GPU的智能系統(tǒng)級(jí)開(kāi)發(fā)。