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納米材料與薄膜物理

在鈣鈦礦型鐵電薄膜的取向控制生長和顯微結(jié)構(gòu)研究，準(zhǔn)一維納米線的制備與電學(xué)性質(zhì)以及寬禁帶半導(dǎo)體薄膜等方向取得了系列創(chuàng)新性研究成果，發(fā)現(xiàn)決定多晶鐵電薄膜中疇結(jié)構(gòu)的根本因素是晶粒尺寸而不是膜厚，發(fā)現(xiàn)單根聚合物納米線的電導(dǎo)率比納米線壓片樣品大很多；發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜發(fā)光的時(shí)間退化效應(yīng)。本研究方向承擔(dān)國家自然科學(xué)基金3項(xiàng)，教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才項(xiàng)目1項(xiàng)，山東省杰出青年基金1項(xiàng)，山東省泰山學(xué)者特聘教授科研項(xiàng)目1項(xiàng)，發(fā)表SCI和EI收錄論文40余篇。

該方向目前導(dǎo)師有：盧朝靖、龍?jiān)茲伞�單福凱、王清濤、李啟昌、石星軍等。