網(wǎng)站介紹 關(guān)于我們 聯(lián)系方式 友情鏈接 廣告業(yè)務(wù) 幫助信息
1998-2022 ChinaKaoyan.com Network Studio. All Rights Reserved. 滬ICP備12018245號
一、基本情況
張小玲,副教授。1998年畢業(yè)于沈陽工業(yè)大學(xué)微電子與固體電子學(xué)專業(yè),獲碩士學(xué)位,同年在北京工業(yè)大學(xué)電控學(xué)院擔(dān)任教學(xué)和科研工作。2006年畢業(yè)于北京工業(yè)大學(xué)微電子與固體電子學(xué)專業(yè),獲工學(xué)博士學(xué)位。曾赴英國伯明翰大學(xué)學(xué)習(xí)。
二、主要研究方向:
半導(dǎo)體器件、集成電路熱特性的研究;電子元器件、集成電路可靠性及加速壽命試驗的研究;GaN基高電子遷移率晶體管等新器件的設(shè)計及制造。
三、目前承擔(dān)的主要科研項目和教學(xué)任務(wù)
面向本科生:《半導(dǎo)體可靠性技術(shù)》《計算機(jī)軟件基礎(chǔ)》
面向研究生:《微電子器件可靠性物理》
四、在研課題:
軍用半導(dǎo)體分立器件加速壽命試驗新方法的應(yīng)用研究;
軍用半導(dǎo)體器件的長期貯存的加速實驗方法的研究;
遙測自動測試系統(tǒng)的研究。
五、科研成果
在國內(nèi)外核心學(xué)術(shù)刊物上共發(fā)表論文四十余篇。
【1】Zhang Xiaoling, Li Fei, et al. High-temperature characteristics of AlxGa1-xN /GaN Schottky diodes. Journal of Semiconductors,2009,30(3)P 034001-1 EI(EI收錄號:20091712051382)
【2】張小玲,呂長志,謝雪松等。Ni/AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)中肖特基勢壘溫度特性。 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報2008年第34卷,第4期 (EI收錄號:20082311303024)
【3】張小玲,呂長志,謝雪松等。AlGaN/GaN HEMTs 器件研制!栋雽(dǎo)體學(xué)報》,2003年,第24卷,第8期,P847。(EI收錄號:2004078020810)
【4】張小玲,呂長志,謝雪松等?鐚(dǎo)為220mS/mm的AlGaN/GaN HEMT!豆腆w電子學(xué)研究與進(jìn)展》,2004年,第24卷,第2期,P209。(EI收錄號:2004398378429)
【5】張小玲,謝雪松,呂長志等。AlGaN/GaN HEMT器件的高溫特性。《微電子學(xué)與計算機(jī)》,2004年,第21卷,第7期,P171
六、聯(lián)系方式:
北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院 郵編100124
E-mail: zhangxiaoling@bjut.edu.cn ,Tel: 67392125
來源未注明“中國考研網(wǎng)”的資訊、文章等均為轉(zhuǎn)載,本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載出于傳遞更多信息之目的,并不意味著贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,如涉及版權(quán)問題,請聯(lián)系本站管理員予以更改或刪除。如其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)站下載使用,必須保留本網(wǎng)站注明的"稿件來源",并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
來源注明“中國考研網(wǎng)”的文章,若需轉(zhuǎn)載請聯(lián)系管理員獲得相應(yīng)許可。
聯(lián)系方式:chinakaoyankefu@163.com
掃碼關(guān)注
了解考研最新消息
網(wǎng)站介紹 關(guān)于我們 聯(lián)系方式 友情鏈接 廣告業(yè)務(wù) 幫助信息
1998-2022 ChinaKaoyan.com Network Studio. All Rights Reserved. 滬ICP備12018245號