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一、基本情況:朱慧,女,博士,講師,碩士生導(dǎo)師。 2003年畢業(yè)于中國(guó)礦業(yè)大學(xué)(北京)材料科學(xué)與工程系,獲得學(xué)士學(xué)位。同年赴英國(guó)劍橋大學(xué)學(xué)習(xí),2004年畢業(yè)于材料與冶金系,獲得碩士學(xué)位,2010年畢業(yè)于工程系,獲得電子工程專業(yè)博士學(xué)位。2011年至今在北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院工作。
二、主要研究方向:鐵電薄膜及鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器,微電子器件可靠性物理。
三、科研項(xiàng)目:GaN HEMT中的殘余應(yīng)力以及應(yīng)力對(duì)器件性能的影響,北京市自然科學(xué)基金項(xiàng)目負(fù)責(zé)人;星載高熱流組件散熱分析及可靠性影響分析,總裝備部項(xiàng)目子項(xiàng)目參與人。
四、代表性科研論文: H. Zhu, and D. P. Chu, A study of capacitance voltage characteristics of lead zirconate titanate ferroelectric thin films and their usage to investigate polarization and coercive field, J. Phys.: Condens. Matt. 23, 495901 (2011). H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, S. E. Rowley, and S. S. Saxena, Polarization change in ferroelectric thin film capacitors under external stress, J. Appl. Phys. 105, 061609 (2009). H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, I, Pane, J. E. Huber, E. Natori, Polarization change of PZTN ferroelectric thin films under uniform in-plane tensile stress, Integr. Ferroelectr. 95, 117-127 (2007).
五、聯(lián)系方式:電話:010-67396955 E-mail: zhuhui@bjut.edu.cn 地址:北京市朝陽(yáng)區(qū)平樂園100號(hào) 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院(郵編100124)
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