• 2025考研復(fù)試伴學(xué)班
• 2025考研復(fù)試標(biāo)準(zhǔn)班
• 2026考研英語(yǔ)全程班
• 26考研全科上岸規(guī)劃營(yíng)「擇校▪規(guī)劃▪備考」
• 中國(guó)人民大學(xué)2025考研專業(yè)課復(fù)習(xí)資料「真題▪筆記▪講義▪題庫(kù)」

曹永革 （Yongge Cao）教授,材料物理,博士生導(dǎo)師

1998在北京科技大學(xué)獲材料學(xué)專業(yè)博士學(xué)位。1998年至2006年間訪問(wèn)香港、日本多個(gè)重要學(xué)術(shù)單位。2006年被西北工業(yè)大學(xué)聘為特聘教授，并入選2006年度教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才”計(jì)劃。2006.9被中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所聘用，入選中科院“百人計(jì)劃”，并獲得擇優(yōu)支持。

主要從事透明激光陶瓷和InGaN半導(dǎo)體第三代薄膜太陽(yáng)能電池兩個(gè)方向的研究工作。利用自主設(shè)備與創(chuàng)新工藝制備了高透過(guò)率的Nd:YAG透明陶瓷，實(shí)現(xiàn)了高效激光輸出（22.5W，效率52.6%），為目前國(guó)內(nèi)最高的陶瓷激光輸出效率報(bào)導(dǎo)，激光輸出功率基本達(dá)到國(guó)內(nèi)最高水平；在國(guó)際上率先用熔鹽法在低于一個(gè)大氣壓條件的溫和條件下生長(zhǎng)出了尺寸達(dá)5mm的高質(zhì)量氮化鎵自由體單晶，光學(xué)質(zhì)量和結(jié)晶質(zhì)量數(shù)據(jù)比報(bào)導(dǎo)的高；利用分子束外延（MBE）生長(zhǎng)手段，制備了高質(zhì)量的InxGa1-xN量子點(diǎn)并提出了生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的演化理論模型；制備了P型ZnO膜以及低In組份低成本高性能的摻In-ZnO透明導(dǎo)電膜；全光譜InGaN薄膜太陽(yáng)電池方面制備了高質(zhì)量全I(xiàn)n組份InGaN薄膜及期原型太陽(yáng)電池。相關(guān)結(jié)果以第一作者分別在Appl. Phys. Lett.和Phys. Rev.B兩個(gè)期刊上進(jìn)行了報(bào)道（7篇）。

近五年基金項(xiàng)目：

1、科技部973及納米重大科學(xué)研究計(jì)劃子課題，高效太陽(yáng)電池材料研究方向，子課題負(fù)責(zé)人。

2、863重大課題，激光透明陶瓷方向，副組長(zhǎng)。

3、中科院重要方向性項(xiàng)目，激光陶瓷方向，課題負(fù)責(zé)人。

4、福建省科技重點(diǎn)項(xiàng)目，激光陶瓷，課題負(fù)責(zé)人。

5、物構(gòu)所重大專項(xiàng)等十余項(xiàng)基金，課題負(fù)責(zé)人。

6、物構(gòu)所-上海浦東能源基地項(xiàng)目（已獲批準(zhǔn)，08年底啟動(dòng)，3700萬(wàn)元平臺(tái)，600萬(wàn)元項(xiàng)目），項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。

代表性論著：

1. Optical properties of indium doped ZnO films fabricated by magnetron sputtering,Jap. J. Appl. Phys. Part I.45(3A),1623(2006).

2.Low-resistivity p-ZnO films fabricated by sol-gel spin coating, Appl. Phys. Lett.88,251116(2006).

3.In siturevelation of zinc-blende InN wetting layer during Stranski-Krastanov growth on GaN(0001) by molecular-beam Epitaxy, Phys. Rev. B. 71,155322(2005).

4.Scaling of three-dimensional InN islands grown on GaN (0001) by Molecular-beam Epitaxy, Phys. Rev. B (Rapid Comm.),68,161304(2003).

5.InN island shape and its dependence on growth condition of molecular-beam epitaxial growth, Appl. Phys. Lett.83,5157(2003).