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820--《半導(dǎo)體物理》考試大綱

一、基本要求

《半導(dǎo)體物理》碩士研究生入學(xué)考試內(nèi)容主要包括半導(dǎo)體物理的基本概念、基礎(chǔ)理論和基本計算;考試命題注重測試考生對相關(guān)的物理基本概念的理解、對基本問題的分析和應(yīng)用，強調(diào)物理概念的清晰和對半導(dǎo)體物理問題的綜合分析。

二、考試范圍

1、 半導(dǎo)體中電子狀態(tài)

1.1 半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)

1.2 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶

1.3 半導(dǎo)體中電子的運動 有效質(zhì)量

1.4 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu) 空穴

1.5 回旋共振

1.6 硅，鍺和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)

2、 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級

2.1 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級

2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級

2.3 缺陷、位錯能級

3、 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布

3.1 狀態(tài)密度

3.2 費米能級和載流子的統(tǒng)計分布

3.3 本征半導(dǎo)體的載流子濃度

3.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度

3.5 一般情況下的載流子統(tǒng)計分布

3.6 簡并半導(dǎo)體

4、 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

4.1 載流子的漂移運動 遷移率

4.2 載流子的散射

4.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

4.4 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

4.5 玻耳茲曼方程 電導(dǎo)率的統(tǒng)計理論

4.6 強電場下的效應(yīng) 熱載流子

5、 非平衡載流子

5.1 非平衡載流子的注入和復(fù)合

5.2 非平衡載流子的壽命

5.3 準(zhǔn)費米能級

5.4 復(fù)合理論

5.5 陷阱效應(yīng)

5.6 載流子的擴散運動

5.7 載流子的漂移運動,愛因斯坦關(guān)系式

5.8 連續(xù)性方程

6、 p-n結(jié)

6.1 p-n結(jié)及其能帶圖

6.2 p-n結(jié)電流電壓特性

6.3 p-n結(jié)電容

6.4 p-n結(jié)擊穿

7、金屬和半導(dǎo)體接觸

7.1 金屬半導(dǎo)體接觸及其能級圖

7.2 肖特基勢壘二極管

8、半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)

8.1 表面電場效應(yīng)

8.2 理想MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性