1997.07-2000.12　太原理工大學校辦工廠工作，負責本科生金工實習；

2002.09-2008.06　太原理工大學材料科學與工程學院碩博連讀，取得工學博士學位；

2001.01-2008.09 山西省新材料研究中心工作，實驗工程師；

2008.10-2010.07  太原理工大學材料科學與工程學院材料學系，講師；

2010.07-2018.12 太原理工大學材料科學與工程學院材料學系，副教授；

2016.03-2017.03 美國密歇根大學安娜堡校區(qū), 訪問學者

總體概述：

主持國家自然科學基金面上項目1項、省自然科學基金項目1項，參與多項國家及省自然科學基金項目。在國際與國內(nèi)刊物發(fā)表研究論文10余篇（其中SCI、Ei收錄6篇），并獲得授權(quán)專利二項。    

承擔項目：

1、石墨烯/氮化鎵基異質(zhì)外延的界面特性及其光電性能研究，國家自然科學基金面上項目，2017/01-2020/12，在研、主持
2、界面原子行為對三維GaN基結(jié)構(gòu)生長和光電性能的影響，國家自然科學基金面上項目，2015/01-2018/1，在研、參加。
3、合金結(jié)構(gòu)的表面等離子體增強發(fā)光二極管效能研究，山西省自然科學基金項目， 2011/01-2013/12，已結(jié)題、主持。

1、 Pei Sun, Suihu Dang, Tianbao Li *, Chunxia Li, Hua Zhang, Bingshe Xu. Carrier transport improvement in blue InGaN light-emitting diodes via reduced polarization using a band-engineered electron blocking layer. Journal of Display Technology, 2014,10（12），1101-1105
2、Tianbao Li*, Chenyang Liu, Zhe Zhang, Bin Yu, Hailiang Dong, Bingshe Xu. GaN epitaxial layers grown on multilayer graphene by MOCVD. AIP Advances, 2018，8（4），045105-04111.

3、 Tianbao Li*, Chenyang Liu, Zhe Zhang, Bin Yu, Hailiang Dong, Haiwei Jiang. Understanding the Growth Mechanism of GaN Epitaxial Layers on Mechanically Exfoliated Graphite. Nanoscale Research Letters, 2018, 13,130-136.

授權(quán)專利：

1、 發(fā)明名稱：一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制備方法；專利號：ZL 201510022433.1

2、 發(fā)明名稱：一種低成本氮化鎵基發(fā)光二極管制備方法；專利號：ZL 201410750310.5

科研獲獎：

2014年參與項目 “界面性質(zhì)與光電器件特性關系調(diào)控技術(shù)及應用” 獲國家科學技術(shù)進步二等獎一項。
2016年主持項目“高光效發(fā)光二極管的關鍵技術(shù)及應用”獲山西省科技進步二等獎一項。