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828半導(dǎo)體物理

一、考試基本內(nèi)容

1、晶體結(jié)構(gòu)(熟悉常見三種半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和特點(diǎn))和半導(dǎo)體的結(jié)合性質(zhì)，理解帶隙、導(dǎo)帶、價(jià)帶的概念，掌握倒格子和布里淵區(qū)的概念，熟悉常見半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)。

2、半導(dǎo)體中電子狀態(tài)：掌握電子、空穴有效質(zhì)量的概念、意義，了解回旋共振測量半導(dǎo)體電子有效質(zhì)量的原理。了解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)、缺陷種類和特點(diǎn)。重?fù)诫s效應(yīng)、雜質(zhì)結(jié)合能、雜質(zhì)種類。

3、熱平衡狀態(tài)下的載流子統(tǒng)計(jì)分布：幾種常見分布函數(shù)、態(tài)密度的概念，費(fèi)米能級的概念，熱平衡狀態(tài)下本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體。

4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：載流子漂移運(yùn)動(dòng)、遷移率的概念、半導(dǎo)體中主要的散射機(jī)構(gòu)。半導(dǎo)體的電導(dǎo)率與溫度、雜質(zhì)濃度的變化關(guān)系，強(qiáng)電場效應(yīng)、熱載流子、能谷間散射、負(fù)阻效應(yīng)及典型器件應(yīng)用。

5、平衡載流子：非平衡載流子的注入與復(fù)合、載流子壽命、準(zhǔn)費(fèi)米能級、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、愛因斯坦關(guān)系，復(fù)合理論、陷阱效應(yīng)，連續(xù)性方程。

6、Pn結(jié)的能帶、金屬與半導(dǎo)體接觸界面附件的能帶圖、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶;整流理論，歐姆接觸、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的種類及特點(diǎn)(與同質(zhì)結(jié)相比)。了解半導(dǎo)體中常見的熱、壓阻、光、磁等效應(yīng)。

二、試題結(jié)構(gòu)

1、考試方式為閉卷筆試�？荚嚂r(shí)間為3小時(shí)。滿分150分。

2、試題結(jié)構(gòu)：選擇體30分左右;名詞解釋40分;簡述題30分左右;計(jì)算題及推導(dǎo)證明50分左右。