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中科院新疆理化所研究生導(dǎo)師郭旗介紹如下：

郭旗，男，漢族，1964年生于新疆。中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所研究員，碩士生導(dǎo)師。中國(guó)電子學(xué)會(huì)及中國(guó)核學(xué)會(huì)核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)分會(huì)委員。

長(zhǎng)期從事電子元器件輻射效應(yīng)、輻射損傷機(jī)理、模擬試驗(yàn)技術(shù)和空間輻射環(huán)境在軌測(cè)量技術(shù)研究；先后主持863等國(guó)家級(jí)科研項(xiàng)目十余項(xiàng)；獲新疆維吾爾自治區(qū)科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)2項(xiàng)，中國(guó)科學(xué)院和新疆維吾爾自治區(qū)科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)各1 項(xiàng)；獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)一項(xiàng)；在國(guó)內(nèi)外期刊發(fā)表論文數(shù)十篇。

主要研究領(lǐng)域：

半導(dǎo)體器件和集成電路總劑量輻射效應(yīng)機(jī)理、模擬試驗(yàn)方法、空間輻射環(huán)境在軌測(cè)量技術(shù)等研究。

1. 新型半導(dǎo)體器件和集成電路總劑量輻射效應(yīng)機(jī)理研究

研究光電器件、大規(guī)模集成電路等的總劑量輻射效應(yīng)規(guī)律和輻射損傷物理機(jī)制，為新型器件和集成電路的空間輻射效應(yīng)模擬試驗(yàn)和抗輻射加固技術(shù)提供理論依據(jù)和支撐。

2. 新型電子元器件總劑量輻射效應(yīng)模擬試驗(yàn)方法

光電成像器件、大規(guī)模集成電路輻射效應(yīng)測(cè)試技術(shù)研究、損傷失效模式、輻射損傷表征方法、模擬試驗(yàn)技術(shù)和評(píng)估方法研究。

3. 空間輻射環(huán)境在軌測(cè)量技術(shù)研究

利用半導(dǎo)體器件、材料和電離輻射效應(yīng)研制開(kāi)發(fā)適用于空間環(huán)境在軌測(cè)量的輻射劑量監(jiān)測(cè)技術(shù)和設(shè)備。

代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS

1. SiGe HBT與Si BJT的60Coγ射線總劑量輻照效應(yīng)比較，牛振紅，郭旗，任迪遠(yuǎn)，劉剛，高嵩, 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展， 2007（27）3。
2. 多結(jié)太陽(yáng)電池輻射損傷的電致發(fā)光研究，牛振紅，郭旗，任迪遠(yuǎn)，高嵩，劉剛，戴康，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2008（28）1。
3. 一種國(guó)產(chǎn)GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽(yáng)電池的電子輻照特性，牛振紅，郭旗，任迪遠(yuǎn)，劉剛，高嵩，徐壽巖，孫彥錚，肖志斌，核技術(shù)，2007（30）1。
4. SiGe HBT 60Coγ射線輻照效應(yīng)及退火特性，牛振紅，郭旗，任迪遠(yuǎn)，劉剛，高嵩, 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2006（27）9。
5. 大規(guī)模存貯器電離輻射試驗(yàn)方法，匡治兵，郭旗，吾勤之，任迪遠(yuǎn)，陸嫵, 微電子學(xué)，2005（35）5。
6. 80C31單片機(jī)電路總劑量效應(yīng)研究，匡治兵，郭旗，任迪遠(yuǎn)，李愛(ài)武，汪東，微電子學(xué)， 2005（35）6。
7. 劑量率對(duì)PMOS劑量計(jì)輻射響應(yīng)的影響，孫靜，郭旗，張軍，任迪遠(yuǎn)，陸嫵，余學(xué)鋒，文林，王改麗，鄭玉展，微電子學(xué)，2009（39）1。

研究領(lǐng)域：物理學(xué)