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中科院新疆理化所研究生導(dǎo)師任迪遠(yuǎn)介紹如下:
任迪遠(yuǎn),男,研究員(自然科學(xué))
通訊地址:烏魯木齊市北京南路40號(hào)附1號(hào)
郵政編碼:830011
任迪遠(yuǎn),男,漢族,1950年生于新疆。中共黨員,研究員,博士生導(dǎo)師。
任迪遠(yuǎn)同志長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體輻射物理領(lǐng)域的研究工作,先后主持或承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家“863”、航天科技預(yù)先研究、航天科技基金、中科院基礎(chǔ)重點(diǎn)研究、赴美國(guó)耶魯大學(xué)合作進(jìn)行美國(guó)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目研究等20余項(xiàng)科研課題。獲國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)1項(xiàng);中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、二等獎(jiǎng)2項(xiàng)、三等獎(jiǎng)2項(xiàng);新疆維吾爾自治區(qū)科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)2項(xiàng)、三等獎(jiǎng)1項(xiàng)。近期主要從事雙極類(lèi)器件和電路的低劑量率輻射損傷增強(qiáng)效應(yīng)及實(shí)驗(yàn)室加速模擬評(píng)估方法的研究;大規(guī)模集成電路、SOI器件和電路的輻射損傷評(píng)估等方面的研究。目前已培養(yǎng)研究生26人(博士2人、碩士24人)。發(fā)表論文130余篇。
任迪遠(yuǎn)同志主要的學(xué)術(shù)兼職有:新疆維吾爾自治區(qū)科協(xié)委員,中國(guó)核學(xué)會(huì)理事,新疆維吾爾自治區(qū)核學(xué)會(huì)理事長(zhǎng),中國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖專(zhuān)業(yè)委員會(huì)委員;《Chinese Physics B》、《Journal of Semiconductors》等國(guó)內(nèi)核心期刊的論文評(píng)審專(zhuān)家。
任迪遠(yuǎn)同志曾被國(guó)家863授予“《十五》國(guó)家863先進(jìn)個(gè)人”稱號(hào),及中國(guó)科學(xué)院授予的“《十五》預(yù)先研究先進(jìn)個(gè)人”稱號(hào)。曾多次被評(píng)為新疆維吾爾自治區(qū)的優(yōu)秀專(zhuān)家,享受?chē)?guó)務(wù)院頒發(fā)的政府特殊津貼,并獲2000年中國(guó)科學(xué)院優(yōu)秀領(lǐng)導(dǎo)班子獎(jiǎng)。
主要研究領(lǐng)域:
1. 數(shù)字電路、模擬電路及光電器件的總劑量輻射效應(yīng)及損傷機(jī)理研究;
2. 數(shù)字電路、模擬電路及光電器件的輻射損傷評(píng)估方法研究;
3. 數(shù)字和模擬電路及器件的抗輻射加固技術(shù)研究;
代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS
1、任迪遠(yuǎn),陸嫵,余學(xué)峰,郭旗,艾爾肯,“雙極器件和電路的不同劑量率的輻射效應(yīng)研究”,固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,2006,26(4):471。
2、任迪遠(yuǎn),陸嫵,郭旗,余學(xué)鋒等,“CMOS運(yùn)算放大器的輻照和退火行為”半導(dǎo)體學(xué)報(bào),2004,25(6):731。
3、任迪遠(yuǎn),陸嫵,余學(xué)鋒,郭旗,張國(guó)強(qiáng),“不同注F劑量與CMOS運(yùn)放電路的輻照損傷的相關(guān)性” 半導(dǎo)體學(xué)報(bào),2003,21(7):780。
4、任迪遠(yuǎn),余學(xué)鋒,艾爾肯,張國(guó)強(qiáng),陸嫵,郭旗,范隆,嚴(yán)榮良,“MOS電容的熱載流子損傷及其與電離輻射損傷的關(guān)系”,固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,2001,21(1):103.
5、任迪遠(yuǎn),陸嫵,郭旗,余學(xué)鋒,嚴(yán)榮良,“不同結(jié)構(gòu)CMOS運(yùn)算放大器電路的電離輻射效應(yīng)”,半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2000,21(9):898。
研究領(lǐng)域:管理工程類(lèi)
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