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基本情況

邢艷輝，女，1974年出生，博士，副教授，碩士生導師。2001年4月，畢業(yè)于長春理工大學光學工程專業(yè)，獲碩士學位；2008年6月畢業(yè)北京工業(yè)大學，微電子學與固體電子學專業(yè)，獲博士學位。

主要從事半導體材料和器件的研究及教學工作

主要研究方向：

GaN基材料制備與測試分析，新型LED器件研究，GaN基增強型HEMT器件的研制和應(yīng)用等。

主持和承擔國家自然科學基金，北京市自然科學基金，承擔和企業(yè)合作的北京市科委的項目。參加科研基地建設(shè)項目、科技成果轉(zhuǎn)化提升計劃項目、以及北京市教委、科委等課題的研究。作為骨干參與高亮度紅光LED技術(shù)成功轉(zhuǎn)讓項目，獲得北京市科學技術(shù)一等獎1項。發(fā)表SCI與EI檢索論文50余篇。培養(yǎng)碩士畢業(yè)論文連續(xù)獲得北京工業(yè)大學優(yōu)秀畢業(yè)論文，北京市優(yōu)秀畢業(yè)生。

SCI收錄代表性論文：

1.Wang Kai，Yanhui Xing*, Jun Han et al. Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 671:435-439.    
2.Zhao Kangkang，Yanhui Xing*，Jun Han et al. Magnetic transport property of NiFe/WSe2/NiFe spin-valve structure[J] Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2017，432:10-13
3.Xing Yanhui*, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD，[J]Applied Surface Science  255 (3) :6121 -6124
4.Xing Yanhui*, Han Jun, Deng Jun, et al， Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers.  [J]Vaccum  ，82（9）：1-4
5.王凱，邢艷輝*，韓軍，. 摻Fe高阻GaN緩沖層特性及其對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件的影響研究[J]. 物理學報，2016，65(1): 016802.
6.邢艷輝*, 韓軍，鄧軍等，p型GaN低溫粗化提高發(fā)光二極管特性 [J]物理學報 59（2）：1233-1236

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