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劉建平
單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
地址：江蘇省蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號(hào)
郵編：215123
電話(huà)：0512-62872691
個(gè)人主頁(yè)：http://nanodevices.sinano.ac.cn/nami/people.php?id=5&tid=1&t_id=579

個(gè)人簡(jiǎn)歷  Personalresume 
2004年在中科院半導(dǎo)體所獲得微電子與固體電子學(xué)博士學(xué)位。2004年至2006年，在北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)室工作。2006年至2010年,在美國(guó)佐治亞理工學(xué)院電子與計(jì)算機(jī)工程系從事博士后研究。2010年5月加入中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，現(xiàn)為研究員，博士生導(dǎo)師。十多年以來(lái)一直致力于氮化鎵基材料生長(zhǎng)和高效LED、激光器等的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
（1）在佐治亞理工學(xué)院工作期間，研制出GaN基紫光和藍(lán)光激光器，其中紫色激光器的閾值電流密度和內(nèi)量子效率等指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，研究結(jié)果被SemiconductorToday專(zhuān)題報(bào)道。
（2）近年來(lái)研制出高性能氮化鎵基藍(lán)光激光器和綠光激光器。研制的藍(lán)光激光器達(dá)到產(chǎn)業(yè)化水平，并在國(guó)內(nèi)率先研制出綠光激光器，在中科院“十二五”科研任務(wù)驗(yàn)收中被評(píng)為優(yōu)秀重大突破項(xiàng)目。在國(guó)際同行中產(chǎn)生了一定影響，多次在國(guó)際和國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)會(huì)議上做口頭和大會(huì)報(bào)告，是該研究方向國(guó)際上主要的課題組之一。
（3）是國(guó)際上最早從實(shí)驗(yàn)上證實(shí)由于空穴注入的限制，InGaN多量子阱有源區(qū)實(shí)際上只有最靠近p-GaN的一個(gè)量子阱發(fā)光的研究者之一，并首先采用降低量子阱勢(shì)壘高度的方法改善了多量子阱中的載流子的均勻性。
迄今為止在Appl.Phys.Lett.、IEEEJ.Sel.Top.QuantumElectron.和Appl.Phys.Express等國(guó)際期刊上發(fā)表SCI收錄論文70多篇，總他引次數(shù)700多次。曾經(jīng)承擔(dān)美國(guó)國(guó)防部DARPA和能源部項(xiàng)目，中國(guó)國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家“863”、中科院先導(dǎo)專(zhuān)項(xiàng)及江蘇省科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。

研究方向  Researchdirection 
1、氮化物半導(dǎo)體材料與器件