• 2025考研復(fù)試伴學(xué)班
• 2025考研復(fù)試標(biāo)準(zhǔn)班
• 2026考研英語(yǔ)全程班
• 26考研全科上岸規(guī)劃營(yíng)「擇校▪規(guī)劃▪備考」
• 哈爾濱工業(yè)大學(xué)2025考研專業(yè)課復(fù)習(xí)資料「真題▪筆記▪講義▪題庫(kù)」

《半導(dǎo)體物理》考試大綱

考試科目名稱：半導(dǎo)體物理Ⅱ 考試科目代碼：[829]

一、考試要求：

要求考生系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導(dǎo)體的物理性能。要求考生對(duì)半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和能帶論、載流子統(tǒng)計(jì)分布、載流子輸運(yùn)過(guò)程、p-n結(jié)理論、金屬-半導(dǎo)體接觸理論、半導(dǎo)體光電效應(yīng)等基本原理有很好的掌握，并能熟練運(yùn)用分析半導(dǎo)體的光電特性。

二、考試內(nèi)容：

1）半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論
a:半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)及電子狀態(tài)和能帶
b:半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)
c:本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)
d:硅和鍺及常用化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
2)雜質(zhì)半導(dǎo)體理論
a:硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)
b:常用化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)
c:缺陷、位錯(cuò)能級(jí)
3)載流子的統(tǒng)計(jì)分布
a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計(jì)分布
b:本征與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
c:一般情況下載流子統(tǒng)計(jì)分布
d:簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
a:載流子的漂移運(yùn)動(dòng)與散射機(jī)構(gòu)
b:遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
c:多能谷散射、耿氏效應(yīng)
5)非平衡載流子
a:非平衡載流子的注入、復(fù)合與壽命
b:準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
c:復(fù)合理論、陷阱效應(yīng)
d:載流子的擴(kuò)散、電流密度方程
e:連續(xù)性方程
6)p-n結(jié)理論
a:p-n結(jié)及其能帶圖
b:p-n結(jié)電流電壓特性
c:p-n結(jié)電容、p-n結(jié)隧道效應(yīng)
7)金屬-半導(dǎo)體接觸理論
a:金-半接觸、能帶及整流理論
b:歐姆接觸
8)半導(dǎo)體光電效應(yīng)
a:半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)（光吸收和光發(fā)射）
b:半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)
c:半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)
d:半導(dǎo)體發(fā)光二極管、光電二極管

三、試卷結(jié)構(gòu)：

a)考試時(shí)間：180分鐘，滿分：150分
b)題型結(jié)構(gòu)
a:概念及簡(jiǎn)答題（60分）
b:論述題（90分）
c）內(nèi)容結(jié)構(gòu)
a:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論及雜質(zhì)半導(dǎo)體理論（30分）
b:載流子的統(tǒng)計(jì)分布（20分）
c:半導(dǎo)體的導(dǎo)電性（20分）
d:非平衡載流子（20分）
e:p-n結(jié)理論和金屬-半導(dǎo)體接觸理論(30分)
f:半導(dǎo)體光電效應(yīng)(30分)

四、參考書目

1.劉恩科，朱秉升，羅晉升編著.半導(dǎo)體物理學(xué).電子工業(yè)出版社,2011.03.
2.[美]施敏（S.M.Sze），半導(dǎo)體器件物理，電子工業(yè)出版社，1987.12.