導(dǎo)師詳細(xì)信息

姓名：胡永才（兼職）

性別：男

出生年份：1956

職稱(chēng)：教授

院系：電子信息工程學(xué)院

首次聘任導(dǎo)師時(shí)間：2008

現(xiàn)聘任導(dǎo)師一級(jí)學(xué)科名稱(chēng)：電子科學(xué)與技術(shù)

現(xiàn)聘任導(dǎo)師二級(jí)學(xué)科名稱(chēng)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)

聘任在第二學(xué)科培養(yǎng)博士生專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)：無(wú)

聘任在自主設(shè)置學(xué)科培養(yǎng)博士生專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)：無(wú)

主要研究方向及特色：半導(dǎo)體探測(cè)器與集成電路的研究和開(kāi)發(fā)。在集成電路器件的建模、研制與測(cè)試，CMOS檢測(cè)系統(tǒng)、前端讀出與信號(hào)處理電路等方面具有重要學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)和研究成果。

電子信箱：yann.hu@ires.in2p3.fr

辦公電話(huà)：33388106114

辦公地點(diǎn)：無(wú)

通信地址：無(wú)

個(gè)人簡(jiǎn)介：

本人長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體探測(cè)器與集成電路的研究和開(kāi)發(fā)。在集成電路器件的建模、研制與測(cè)試，CMOS檢測(cè)系統(tǒng)、前端讀出與信號(hào)處理電路等方面具有重要學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)和研究成果。目前已發(fā)表論文127篇，其中SCI收錄45篇，EI收錄74篇，單篇論文最多被引用108次（本人從事的工作，有些項(xiàng)目是不能發(fā)表文章和專(zhuān)利）。發(fā)表在國(guó)際電子與電子工程領(lǐng)域的頂級(jí)刊物《Electronics Letters》上的1篇論文被評(píng)為2006年最佳論文。博士生孫泉SUNQUAN在2009IEEE核科學(xué)與等離子體物理協(xié)會(huì)實(shí)時(shí)會(huì)議上宣讀的論文被評(píng)為大會(huì)最佳學(xué)生論文的三等獎(jiǎng)。指導(dǎo)培養(yǎng)了來(lái)自世界各國(guó)的博士生22人，博士后5人，其中來(lái)自國(guó)內(nèi)985高校的國(guó)家建設(shè)高水平大學(xué)公派研究生派遣計(jì)劃的博士生9名。從1999年開(kāi)始曾連續(xù)10年獲法國(guó)教育部和科研部科學(xué)研究與博士生導(dǎo)師獎(jiǎng)。

所研發(fā)的CMOS圖像傳感器擬與人工智能相結(jié)合并面向空間應(yīng)用、安檢設(shè)備、空中高速攝影及核物理和高能物理研究等多個(gè)領(lǐng)域。同時(shí)這些圖像傳感器的設(shè)計(jì)技術(shù)也可以應(yīng)用到其它領(lǐng)域應(yīng)用的集成電路設(shè)計(jì)中去。

聯(lián)合培養(yǎng)博士生孫泉（SUNQUAN）在IEEE2009年核科學(xué)年會(huì)上發(fā)表的論文獲得最佳學(xué)生論文三等獎(jiǎng)。

《IEE Electronics Letters》2006年最佳論文獎(jiǎng)。

從1999年開(kāi)始曾連續(xù)10年獲法國(guó)教育部和科研部科學(xué)研究與博士生導(dǎo)師獎(jiǎng)。

近五年代表性學(xué)術(shù)論文:A Supply-Noise-Insensitive PLL in Monolithic Active Pixel Sensors，A fully integrated CMOS voltage regulator for supply-noise-insensitive charge pump PLL design。

近五年承擔(dān)的重要縱向科研項(xiàng)目：Pixel detecters for the Vertex Detectors in STAR experiments at RHIC collider，CMOS active pixel sensors with vertically integrated technology。