一、基本情況

邢艷輝，女，1974年出生，博士，副教授，碩士生導師。

2001年畢業(yè)于長春理工大學光學工程專業(yè)，獲碩士學位，同年到在北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院從事教學與科研工作，2008年畢業(yè)于北京工業(yè)大學 微電子學與固體電子學專業(yè)， 獲博士學位。2007年獲得“北京工業(yè)大學德育教育先進個人”，2009年獲得“北京工業(yè)大學就業(yè)工作先進個人”。

二、科研工作

主要從事GaAs，GaN，InP，GeSi等半導體材料的光電特性測試分析工作，近年來主要利用高精度X射線雙晶衍射（XRD）、光致發(fā)光（PL）、原子力顯微鏡（AFM）等測試儀器研究GaN材料特性及LED器件制備工作。工作期間作為骨干成員參加了包括國家自然科學基金、863、北京市自然科學基金、北京市教委等課題的研究。

在研的科研項目：

1.國家自然科學基金，藍寶石圖形襯底上MOCVD定向控制生長半極性（11-22）GaN研究 （項目編號61204011，負責人）

2.北京市自然科學基金，MOCVD生長非極性a面GaN材料光電特性研究”的研究工作 （項目編號4102003，負責人）

3.北京市自然科學基金，GaAs基GaAsSb/InGaAsN VCSEL研究 （項目編號：4112006 第二負責人）

三、教學工作

主講本科生課程：《熱力學與統(tǒng)計物理》

四、論文

在國內(nèi)外學術(shù)刊物發(fā)表論文40余篇，其中SCI、EI收錄36篇，代表性論文：

1.Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD，Applied Surface Science 2009 255 (3) :6121 -6124（SCI檢索號UT ISI：000264408000013）

2.Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun, et al， Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers.  Vaccum  2007，82（9）：1-4 （SCI 檢索號UT ISI：000249879600001）

3.邢艷輝，鄧軍，李建軍等，引入n型 InGaN/GaN超晶格層提高量子阱特性研究 物理學報 2009 58（1）：590-595  （SCI檢索號UT ISI：000262834300094）            

4.邢艷輝,劉建平，鄧軍等，壘摻In提高InGaN/GaN多量子阱發(fā)光特性 物理學報 2007，56（12）：7295-7298（SCI檢索號UT ISI：000252018900080 ）

5.邢艷輝，韓軍，鄧軍等，淀積在不同小傾角藍寶石襯底的n型GaN的研究 物理學報 2009 58（4）：2644-2648（SCI檢索號UT ISI：000265324700080）

6.邢艷輝, 鄧軍, 徐晨等，p型GaN低溫粗化提高發(fā)光二極管特性 物理學報 2010 59（2）：1233-1236（SCI  檢索號UT WOS：000274699000079）

五、聯(lián)系方式

辦公電話：010-67392503轉(zhuǎn)839，010-67392924轉(zhuǎn)839 

Email：xingyanhui@bjut.edu.cn