一、基本情況

張小玲，副教授。1998年畢業(yè)于沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)微電子與固體電子學(xué)專業(yè)，獲碩士學(xué)位，同年在北京工業(yè)大學(xué)電控學(xué)院擔(dān)任教學(xué)和科研工作。2006年畢業(yè)于北京工業(yè)大學(xué)微電子與固體電子學(xué)專業(yè)，獲工學(xué)博士學(xué)位。曾赴英國(guó)伯明翰大學(xué)學(xué)習(xí)。

二、主要研究方向：

半導(dǎo)體器件、集成電路熱特性的研究；電子元器件、集成電路可靠性及加速壽命試驗(yàn)的研究；GaN基高電子遷移率晶體管等新器件的設(shè)計(jì)及制造。

三、目前承擔(dān)的主要科研項(xiàng)目和教學(xué)任務(wù)

面向本科生：《半導(dǎo)體可靠性技術(shù)》《計(jì)算機(jī)軟件基礎(chǔ)》

面向研究生：《微電子器件可靠性物理》

四、在研課題：

軍用半導(dǎo)體分立器件加速壽命試驗(yàn)新方法的應(yīng)用研究；

軍用半導(dǎo)體器件的長(zhǎng)期貯存的加速實(shí)驗(yàn)方法的研究；

遙測(cè)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)的研究。

五、科研成果

在國(guó)內(nèi)外核心學(xué)術(shù)刊物上共發(fā)表論文四十余篇。

【1】Zhang Xiaoling, Li Fei, et al. High-temperature characteristics of AlxGa1-xN /GaN Schottky diodes. Journal of Semiconductors，2009，30（3）P 034001-1 EI（EI收錄號(hào)：20091712051382）

【2】張小玲，呂長(zhǎng)志，謝雪松等。Ni/AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)中肖特基勢(shì)壘溫度特性。 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)2008年第34卷，第4期 （EI收錄號(hào)：20082311303024）

【3】張小玲，呂長(zhǎng)志，謝雪松等。AlGaN/GaN HEMTs 器件研制�！栋雽�(dǎo)體學(xué)報(bào)》，2003年，第24卷，第8期，P847。（EI收錄號(hào)：2004078020810）

【4】張小玲，呂長(zhǎng)志，謝雪松等。跨導(dǎo)為220mS/mm的AlGaN/GaN HEMT�！豆腆w電子學(xué)研究與進(jìn)展》，2004年，第24卷，第2期，P209。（EI收錄號(hào)：2004398378429）

【5】張小玲，謝雪松，呂長(zhǎng)志等。AlGaN/GaN HEMT器件的高溫特性�！段㈦娮訉W(xué)與計(jì)算機(jī)》，2004年，第21卷，第7期，P171

六、聯(lián)系方式：

北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院  郵編100124

E-mail: zhangxiaoling@bjut.edu.cn ，Tel: 67392125