一、基本情況：朱慧，女，博士，講師，碩士生導(dǎo)師。 2003年畢業(yè)于中國礦業(yè)大學(xué)（北京）材料科學(xué)與工程系，獲得學(xué)士學(xué)位。同年赴英國劍橋大學(xué)學(xué)習(xí)，2004年畢業(yè)于材料與冶金系，獲得碩士學(xué)位，2010年畢業(yè)于工程系，獲得電子工程專業(yè)博士學(xué)位。2011年至今在北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院工作。

二、主要研究方向：鐵電薄膜及鐵電隨機(jī)存儲器，微電子器件可靠性物理。

三、科研項目：GaN HEMT中的殘余應(yīng)力以及應(yīng)力對器件性能的影響，北京市自然科學(xué)基金項目負(fù)責(zé)人；星載高熱流組件散熱分析及可靠性影響分析，總裝備部項目子項目參與人。

四、代表性科研論文： H. Zhu, and D. P. Chu, A study of capacitance voltage characteristics of lead zirconate titanate ferroelectric thin films and their usage to investigate polarization and coercive field, J. Phys.: Condens. Matt. 23, 495901 (2011).  H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, S. E. Rowley, and S. S. Saxena, Polarization change in ferroelectric thin film capacitors under external stress, J. Appl. Phys. 105, 061609 (2009).  H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, I, Pane, J. E. Huber, E. Natori, Polarization change of PZTN ferroelectric thin films under uniform in-plane tensile stress, Integr. Ferroelectr. 95, 117-127 (2007).

五、聯(lián)系方式：電話：010-67396955 E-mail: zhuhui@bjut.edu.cn 地址：北京市朝陽區(qū)平樂園100號 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院（郵編100124）