微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科2024年碩士研究生復(fù)試參考

根據(jù)教育部關(guān)于加強(qiáng)碩士研究生招生復(fù)試工作的指導(dǎo)意見及學(xué)校有關(guān)要求，微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科2024年碩士研究生招生復(fù)試指導(dǎo)確定如下。（報(bào)考0854集成電路工程方向，按本參考復(fù)試）。

復(fù)試比例及主要內(nèi)容

1、復(fù)試由筆試和面試兩部分組成，外國語聽力考試在面試中進(jìn)行。復(fù)試的總成績?yōu)?50分，其中筆試200分，面試150分。

2、復(fù)試筆試科目

科目代碼：00122

科目名稱: 微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程復(fù)試筆試

（1）電子技術(shù)，占70分。

主要內(nèi)容：

半導(dǎo)體二極管及其基本電路；半導(dǎo)體三極管及其放大電路基礎(chǔ)；場效應(yīng)放大電路；集成電路運(yùn)算放大器；反饋放大電路；信號的運(yùn)算與處理電路；信號的產(chǎn)生電路；直流穩(wěn)壓電源；邏輯門電路；組合邏輯電路的分析與設(shè)計(jì)；常用組合邏輯功能器件；觸發(fā)器；時(shí)序邏輯電路的分析和設(shè)計(jì)；常用時(shí)序邏輯功能器件。

參考書目：

1.《基礎(chǔ)電子技術(shù)》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年8月第1版。

2.《集成電子技術(shù)》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年7月第1版。

（2）晶體管原理，占70分。

主要內(nèi)容：

pn結(jié)直流特性、空間電荷區(qū)和電容、pn結(jié)擊穿；雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性及功率特性；場效應(yīng)晶體管（包括結(jié)型和MOS場效應(yīng)晶體管）的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性及功率特性；MOS場效應(yīng)晶體管的閾值電壓、短溝道與窄溝道效應(yīng)及擊穿特性。

參考書目：

1.《微電子器件基礎(chǔ)》蘭慕杰等編，哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社，2020年版。

2.《微電子技術(shù)基礎(chǔ)――雙極、場效應(yīng)晶體管原理》曹培棟 編著，電子工業(yè)出版社，2001年第一版。

3.《雙極型與場效應(yīng)晶體管》武世香 編,電子工業(yè)出版社,1995年版。

（3）半導(dǎo)體集成電路，占60分。

主要內(nèi)容：

集成電路中常用的器件結(jié)構(gòu)、I/V特性及其寄生效應(yīng)； MOS邏輯集成電路工作原理、靜態(tài)特性、瞬態(tài)特性及版圖設(shè)計(jì)；各類MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及特性；數(shù)字集成電路自動(dòng)化設(shè)計(jì)（verilog硬件描述語言、設(shè)計(jì)綜合、設(shè)計(jì)驗(yàn)證）；模擬集成電路中常用單元的結(jié)構(gòu)、工作原理、性能及模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)特點(diǎn)等。

參考書目：

1.《集成電路設(shè)計(jì)》，葉以正 來逢昌編，清華大學(xué)出版社，2016年版。

2．《CMOS模擬集成電路基礎(chǔ)》，王永生編著，清華大學(xué)出版社，2021年7月。

3、面試主要內(nèi)容

（1）外語聽力及口語；

（2）專業(yè)知識綜合運(yùn)用能力；

（3）科學(xué)研究基礎(chǔ)與能力；

（4）綜合表達(dá)能力、學(xué)習(xí)情況及學(xué)習(xí)能力；

（5）思想政治素質(zhì)、道德品質(zhì)、人文素養(yǎng)、社會(huì)實(shí)踐表現(xiàn)等。