總體概述：

以新型半導(dǎo)體材料與器件為主要研究方向，完成了以 GaN 為代表的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體化合物的界面結(jié)構(gòu)與發(fā)光特性的關(guān)系、一維半導(dǎo)體納米材料( GaN、ZnO、TiO2等)的制備與表征、高亮度發(fā)光二極管極其半導(dǎo)體照明器件等研究工作。先后完成國(guó)家自然科學(xué)基金1項(xiàng)、山西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目1項(xiàng)。獲山西省級(jí)科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)，省部級(jí)成果鑒定2項(xiàng)。在國(guó)際與國(guó)內(nèi)刊物發(fā)表研究論文10余篇(其中SCI、Ei 收錄8篇)，授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利6項(xiàng)，授權(quán)5項(xiàng)。

承擔(dān)項(xiàng)目：

[1] He xia, Liu Hairui, Liangjian, Dong Hailiang etal, Synthesis and Photocatalytic Properties of ZnO/In2O3Heteronanostructures, Journal of Inorganic Materials, 2014 , 29 (3) :264-268（通訊作者）
[2] He xia, Liangjian, Dong Hailiang, et al. Preparation of ZnO/ZnSe Nanostructures and Their Photocatalytic Properties Under Visible Light Irradiation. Chemical Journal of Chinese Universities, 2014 , 35 (3) :455-460. （通訊作者）
[3] Liang J, Zhang C X, Dong H L, et al. Ag/ZnO/ZnSe Heteronanostructure: Synthesis and Photocatalytic Properties with Visible Light Irradiation[J]. Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2015, 31(2):260-266.

授權(quán)專(zhuān)利：

科研獲獎(jiǎng)：