姓 名

章嵩

性 別

男

民 族

漢

出生年月

1982.01

職  稱

副研究員

職 務(wù)

      

聯(lián)系電話

單位名稱

新材所

Email

kobe@whut.edu.cn

實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)址

http://fct.group.whut.edu.cn/cn/index.html

研究方向

l 功能薄膜與涂層

l 化學(xué)氣相沉積

l 物理氣相沉積

教育背景

l 2000/09-2004/06 武漢理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程    學(xué)士

l 2004/09-2007/06 武漢理工大學(xué) 材料學(xué)            碩士

l 2007/09-2010/06 武漢理工大學(xué) 材料加工工程      博士

工作經(jīng)歷

l 2010/09-2012/10 華中科技大學(xué) 電子科學(xué)與技術(shù)系  博士后

l 2011/01-2012/10 日本東北大學(xué) 金屬材料研究所    研究助手

l 2012/12- 武漢理工大學(xué) 新材料研究所  副研究員\博士生導(dǎo)師

項(xiàng)目情況

l 國家科技部國際合作專項(xiàng)項(xiàng)目，大尺寸碳化硅的激光化學(xué)氣相沉積技術(shù)及應(yīng)用合作研發(fā)，2014/12-2017/11。

l 國際企業(yè)委托項(xiàng)目，鹵化物化學(xué)氣相沉積法制備Ti-Si-C復(fù)合材料厚膜成型技術(shù)，2015/01-2015/12。

l 基礎(chǔ)科研挑戰(zhàn)專題，XXX， 2017/09-2021/08。

l 國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，基于脈沖激光沉積富硼 B-C 薄膜的關(guān)鍵技術(shù)研究，2012/01-2014/12。

l 湖北省自然科學(xué)基金項(xiàng)目，3C-SiC晶體缺陷表征與控制研究，2014/01-2015/12。

代表性學(xué)術(shù)
成果1–10

1  Q. Sun, P. Zhu, Q. Xu, R. Tu, S. Zhang*, J. Shi, H. Li, L. Zhang, et al., “High-speed heteroepitaxial growth of 3C-SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [1] 1048–1057 (2018).

2  Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang*, M. Yang, Q. Li, J. Shi, et al., “Fast preparation of (111)-oriented β-SiC films without carbon formation by laser chemical vapor deposition from hexamethyldisilane without H2,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [2] 1471–1478 (2018).

3  P. Zhu, M. Yang, Q. Xu, Q. Sun, R. Tu, J. Li, S. Zhang*, Q. Li, et al., “Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) and (001) by laser CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [9] 3850–3856 (2018).

4  P. Zhu, Q. Xu, R. Chen, S. Zhang*, M. Yang, R. Tu, L. Zhang, T. Goto, et al., “Structural study of β-SiC(001) films on Si(001) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 100 [4] 1634–1641 (2017).

5  R. Tu, D. Zheng, Q. Sun, M. Han, S. Zhang*, Z. Hu, T. Goto, and L. Zhang, “Ultra-Fast Fabrication of <110>-Oriented β-SiC Wafers by Halide CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 99 [1] 84–88 (2016).

6  R. Tu, Q. Sun, S. Zhang*, M. Han, Q. Li, H. Hirayama, L. Zhang, and T. Goto, “Oxidation Behavior of ZrB2-SiC Composites at Low Pressures,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 214–222 (2015).

7  S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “Growth Mechanism and Defects of <111>-Oriented β-SiC Films Deposited by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 236–241 (2015).

8  S. Zhang, Q. Xu, Q. Sun, P. Zhu, R. Tu, Z. Hu, M. Han, T. Goto, et al., “Effect of Pressure on Microstructure of <111>-Oriented β-SiC Films: Research Via Electron Backscatter Diffraction,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [12] 3713–3718 (2015).

9  S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “High-Speed Preparation of <111>- and <110>-Oriented β-SiC Films by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 97 [3] 952–958 (2014).

10  Q. Li, S. Zhang*, C. Wang, Q. Shen, W. Lu, and L. Zhang, “Structural Evolution of B-C Thin Films Deposited from SPSed-Target and Dual-Target,” Journal of the American Ceramic Society, 97 [5] 1367–1370 (2014).