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分類:導(dǎo)師信息 來(lái)源:湖南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2018-05-25 相關(guān)院校:湖南大學(xué)
李東,教授、博士生導(dǎo)師
研究領(lǐng)域:二維材料納米光電子器件
電子郵件:liidong@hnu.edu.cn
工作履歷
2018-至今,湖南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,教授
教育背景
2013-2018,同濟(jì)大學(xué),物理學(xué),理學(xué)博士 (導(dǎo)師:張?jiān)鲂?
2009-2013,同濟(jì)大學(xué),凝聚態(tài)物理,理學(xué)學(xué)士
研究概況
近年來(lái)主要從事二維材料以及二維材料異質(zhì)結(jié)的研究,并取得了系列研究成果。以一作身份先后在Nature Nano., Nano Lett., Adv. Funct. Mater.等國(guó)際知名期刊
上發(fā)表學(xué)術(shù)論文多篇,研究工作多次被相關(guān)媒體作為亮點(diǎn)報(bào)導(dǎo)。
代表論文
1) Dong Li; Mingyuan Chen; Zhengzong Sun; Peng Yu; Zheng Liu; Pulickel Ajayan and Zengxing Zhang. Two-dimensional nonvolatile programmable p-n junctions. Nature Nanotechnology. 2017, 12, 901-906.
2) Dong Li; Mingyuan Chen; Qijun Zong and Zhang Zengxing. Floating-Gate Manipulated Graphene-Black Phosphorus Heterojunction for Nonvolatile Ambipolar Schottky Junction Memories, Memory Inverter Circuits, and Logic Rectifiers. Nano Letters. 2017, 17, 6353−6359.
3) Dong Li; Xiaojuan Wang; Qichong Zhang; Liping Zou; Xiangfan Xu and Zengxing Zhang. Nonvolatile Floating-Gate Memories Based on Stacked Black Phosphorus–Boron Nitride–MoS2 Heterostructures. Advanced Functional Materials. 2015, 25, 7360-7365.
4) Dong Li; Jinrong Xu; Kun Ba; Ningning Xuan; Mingyuan Chen; Zhengzong Sun; Yuzhong Zhang and Zengxing Zhang. Tunable bandgap in few-layer black phosphorus by electrical field. 2D Materials. 2017, 4, 031009.
5) Dong Li; Biao Wang; Mingyuan Chen; Jun Zhou and Zengxing Zhang. Gate-Controlled BP-WSe2 Heterojunction Diode for Logic Rectifiers and Logic Optoelectronics. Small. 2017, 13, 1603726.
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